產(chǎn)品概述
ADM16F03A1Q
ADM16F03A1Q是一款針對汽車應用的高性能SoC，主頻高達150MHz，集成運算加速器、運放、比較器、ADC、PWM控制器及通訊外設、預驅動器和LDO，12V直接供電；AEC-Q100認證；支持多種電機驅動
數(shù)據(jù)手冊 →車規(guī)
產(chǎn)品特性
● 單電源供電
– 4.5V～40V
– 集成LDO（預驅12V，內核1.2V，數(shù)字IO口5V，模擬3V）
● 高性能16位定點DSP內核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛(Harvard)總線結構
– 快速中斷響應和處理
● 片內存儲器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運算加速單元
– 32位乘加及移位
● 17個通用I/O引腳
● 事件管理器EM1
– 4個16位定時/計數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6構成3組互補輸出，PWM7/8獨立輸出）
– 1組正交編碼單元
– 3個捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時刻
● 集成三相高、低側半橋驅動電路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 柵極驅動電路高側浮動絕對電壓可達200V
– 驅動能力IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=12V，VBS=12V
● ADC
– 12位，轉換速率1MSPS
– 16通道，連接到片內溫度傳感器
– 通道排序器，可設置ADC采樣通道序列
● 運算放大器
– 1個OP，可用于母線電流信號調理
– 3個PGA，可用于相電流信號調理
● 電壓比較器
– 3個電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測
– 2個電壓比較器，帶參考電壓（DAC產(chǎn)生），可用于保護
● 中斷
– 2個外部中斷
– 29個由PIE設置的外設中斷
● 數(shù)字延時濾波
– 3組獨立配置延時濾波單元 分別對應外部中斷、功率保護和CAP1/2/3
● 串行通訊外設
– SCI
● 時鐘
– 10M片內振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~15x
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點功能
– 基于硬件的實時調試
● ESD等級(HBM)：2000V
● 溫度范圍：-40°C~125°C（通過AEC-Q100）
● 結溫：-40°C~150°C
● 封裝形式
– LQFP48封裝
– QFN48封裝
– 4.5V～40V
– 集成LDO（預驅12V，內核1.2V，數(shù)字IO口5V，模擬3V）
● 高性能16位定點DSP內核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛(Harvard)總線結構
– 快速中斷響應和處理
● 片內存儲器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運算加速單元
– 除法、開方
– 反正切
– 帕克變換– 32位乘加及移位
● 17個通用I/O引腳
● 事件管理器EM1
– 4個16位定時/計數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6構成3組互補輸出，PWM7/8獨立輸出）
– 1組正交編碼單元
– 3個捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時刻
● 集成三相高、低側半橋驅動電路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 柵極驅動電路高側浮動絕對電壓可達200V
– 驅動能力IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=12V，VBS=12V
● ADC
– 12位，轉換速率1MSPS
– 16通道，連接到片內溫度傳感器
– 通道排序器，可設置ADC采樣通道序列
● 運算放大器
– 1個OP，可用于母線電流信號調理
– 3個PGA，可用于相電流信號調理
● 電壓比較器
– 3個電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測
– 2個電壓比較器，帶參考電壓（DAC產(chǎn)生），可用于保護
● 中斷
– 2個外部中斷
– 29個由PIE設置的外設中斷
● 數(shù)字延時濾波
– 3組獨立配置延時濾波單元 分別對應外部中斷、功率保護和CAP1/2/3
● 串行通訊外設
– SCI
● 時鐘
– 10M片內振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~15x
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點功能
– 基于硬件的實時調試
● ESD等級(HBM)：2000V
● 溫度范圍：-40°C~125°C（通過AEC-Q100）
● 結溫：-40°C~150°C
● 封裝形式
– LQFP48封裝
– QFN48封裝
